株式会社レゾナック

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説明は公表資料と各社サイトから編集部が要約

基本情報

法人番号
3011101018084
ふりがな
レゾナック
本店所在地
〒105-0021 東京都港区東新橋１丁目９番１号
設立
1950年6月7日
代表者
代表取締役 髙橋 秀仁
資本金
154.5億円
従業員数
6,274人
被保険者数
11,654人
上場区分
非上場
業種
製造業

事業概要

半導体前工程材料、半導体後工程材料、ハードディスク、SiC、自動車部品、アルミ機能部材、基礎化学品、黒鉛電極、リチウムイオン電池材料、機能性化学品、樹脂材料、コーティング材料、セラミックス

許認可・登録

広域的処理認定(2014年2月17日)。

環境省 温対法 特定事業所排出者(2023年度、算定排出量 2,327,556 tCO2)。

環境省 温対法 特定荷主(2023年度、算定排出量 27,602 tCO2)。

出典: gBizINFO 届出認定情報・環境省(2023年4月26日現在)/ 環境省 温室効果ガス排出量算定・報告・公表制度(EEGS)。登録・届出の事実であり、業種分類ではありません。各一覧を法人番号で照合して掲載しています。

取引・持ち合い

この会社を主要な顧客に挙げる会社

出典: 各社の有価証券報告書「株式の保有状況」(純投資目的以外の特定投資株式・みなし保有株式)と「セグメント情報」の「主要な顧客ごとの情報」(売上高の10%以上を占める顧客)。逆引きは社名を法人に照合できた行のみ。相互保有は保有する側の有価証券報告書の「当社の株式の保有の有無」の記載です。

職場情報

厚生労働省「女性の活躍推進企業データベース」に各社が公表した職場情報。

企業規模
5001人以上
認定
えるぼし(認定段階2)
女性労働者の割合
総合基幹職(K職) 19.9%・総合基幹職(D職、S職) 14.7%・管理職 7.7%
採用した労働者に占める女性の割合
本社採用(新卒:S職) 19.4%・本社採用(経験者採用) 16.9%・事業所採用(新卒、経験者:K職) 12.5%
男女の平均継続勤務年数
従業員(管理職・一般職) 男性 18.5年・女性 15年
育児休業取得率
従業員(管理職・一般社員) 男性 100%・女性 100%
平均残業時間
23.9時間/月(対象正社員)
係長級の女性比率
12.1%(224人/1,845人)
管理職の女性比率
6.9%(92人/1,336人)
役員の女性比率
22.7%(5人/22人)
男女の賃金の差異
全労働者 73.8%・正規 75.4%・非正規 67.6%(2025年1月1日〜2025年12月31日)
制度
フレックスタイム制度、在宅勤務・テレワーク、短時間勤務制度、年次有給休暇時間単位取得制度、病気・不妊治療休暇、職種・雇用形態転換制度、正社員再雇用・中途採用制度、教育訓練・研修制度、キャリアコンサルティング制度
データ集計時点
2025年12月時点(単体)

出典: 女性の活躍推進企業データベースオープンデータ(2026年9月15日時点)(https://positive-ryouritsu.mhlw.go.jp/positivedb/opendata/)を加工して作成。各社の自己申告値で、雇用管理区分の定義は社ごとに異なります。育児休業取得率は厚生労働省の算式(取得者数÷出産者数)により100%を超えることがあります。

公告・開示・ニュースの履歴

6件
  • 2026.04.15 その他 (甲)電子公告 株式会社レゾナックが株式会社レゾナック・セラミックスを吸収合併
  • 2025.10.14 合併公告 合併公告 株式会社レゾナックが株式会社レゾナック光半導体を吸収合併し、2026年1月1日に効力発生。
  • 2025.08.01 その他 その他 環境影響評価法第三条の九に基づき、川崎事業所(扇町地区)火力発電設備リプレース計画(仮)について、出力規模の縮小に伴い該当から除外される旨を公告
  • 2025.03.17 会社分割公告 会社分割公告 株式会社レゾナックの排ガス処理装置事業を株式会社クリーンエス昭和が承継
  • 2024.11.27 合併公告 合併公告 株式会社レゾナック(甲)が株式会社レゾナック・エレクトロニクス(乙)を吸収合併し、乙は解散する。効力発生日は令和7年1月1日。
  • 2024.11.22 会社分割公告 会社分割公告 株式会社レゾナックが吸収分割によりMinaris Regenerative Medicine株式会社に再生医療事業に関する資産・債務・契約及び権利義務を承継させる。

国の制度の採択

出典: 経済産業省・NEDOの公表資料(2026.10.04 点検)
  • 2023.06.16 特定重要物資「半導体」供給確保計画の認定(経済安全保障推進法) 経済産業省 認定 半導体部素材（SiCウエハ） 2023半導体第4号-2
    • 最大助成額 103億円(連名の事業全体) 2025.12.26 公表
    経済産業省の公表ページ
  • 2021.05.31 ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業 先端半導体製造技術の開発(助成・補助) NEDO 採択 (b)先端半導体の後工程技術(More than Moore技術)の開発 (b3)実装共通基盤技術 NEDOの公表ページ
  • 2022.02.25 グリーンイノベーション基金事業 次世代デジタルインフラの構築 NEDO 採択 次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発 次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発 NEDOの公表ページ
  • 2022.03.02 事業適応計画(エネルギー利用環境負荷低減事業適応)の認定(産業競争力強化法) 経済産業省 認定 カーボンニュートラル投資促進税制(需要開拓商品生産設備) 経済産業省の公表ページ

金額は公表された交付額の上限で、受給額ではありません。収録している制度は一部です。